首次采用模板法成功地控制六角氮化硼沟槽中石墨烯纳米带的生长，打开了石墨烯带隙。同时，在室温下测试其优异的电性能。用金属纳米颗粒刻蚀六方氮化硼单晶衬底，并切出沿锯齿形方向具有直边、单原子层厚度、一定可控宽度的纳米沟槽，得到宽度小于10nm和1/1的石墨烯纳米带。用化学气相沉积法测量沟槽中的几微米的长度。结果表明，在沟槽中采用阶梯外延生长石墨烯，在六方氮化硼的顶部可以形成连续晶格的平面内异质结构。他们已经开发了场效应晶体管（FET）。在室温下，小于5nm器件的电流开关比大于1.0*104，载流子迁移率可达750cm2/(V.s)，电输运带隙可达0.5eV。王浩民的团队在陶瓷基片上石墨烯的制备方面进行了创新，并获得了美国和中国的发明专利。这篇论文发表在《自然通讯》杂志上。
Alba Centeno，MONIKER公司的研究人员，通过掺杂石墨烯，开发了一种新型的石墨烯陶瓷材料，以改善陶瓷的电气和机械性能。石墨烯的团队已经开发出一种新型的氧化石墨烯溶液，它已经发表在《欧洲杂志》的化学版上。采用SPS对氧化铝和氧化石墨烯溶液的混合物进行均匀化，放电等离子烧结（SPS）可以快速释放大电流陶瓷材料。从试验结果可以看出，石墨烯的加入量为0.22％，陶瓷的抗裂性和抗拉强度提高了50％以上，导电性提高了近1.0×108倍，但其它性能没有明显变化。在石墨陶瓷中添加石墨烯可以提高其力学性能，电导率、拉伸强度等性能没有受到影响。后来还研究了在铝土矿中添加石墨烯以提高其抗拉强度，改变了陶瓷材料的脆性和硬度。该技术简单、快捷，可用于各种领域。此外，该技术可用于改善其它陶瓷材料如ZrO2、SiC、TiO2和Si3N4。
