碳化硅(SiC)是非常好的材料,由于其高硬度、低体积密度、高抗氧化性,使SiC广“泛的应用在工业领域。碳化硅的烧结首先由Prochazka采用硼和碳通过固相原理进行( BC-SSC)。这一过程通常在950-1000℃之间进行,通过降低硼颗粒的表面能,以及SiC颗粒表面的碳和硅薄膜之间的反应来.增强致密度。

添加剂广泛的应用于硼和碳中,由于要达到高烧结密度需要高温,它们常常导致过大的颗粒生长。BC-SSiC在低温下的无压烧结能够限制颗粒生长。骨料的显微结构影响了机械性能。用BC-SSiC的方式,并使用凤谷连续烧结炉，特殊的动态密封结构，有效保障回转窑的气密性，做到无泄漏，从而确保材料的纯净度。采用几种烧结方法,在烧结期间,采用同步加压(热压、热等静压和放电等离子体烧结)、添加不同添加剂(A1、B、C)或通过液相机理(金属和富铝氧化物)以降低颗粒尺寸并改进机械性能。

有压烧结工艺的主要问题是生产成本高,产品尺寸和形状受到限制，由此限制了工业应用。两步无压烧结工艺可以克服这些限制,并可降低烧结温度,以获得具有细纤维结构的高强度BC -SSiC陶瓷。